empty basket
Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
Заказать звонок
г. Санкт-Петербург, ул.Ванеева, д.10, лит.Б, пом.№9,10, офис 315
Войти
Поставки промышленного оборудования
+7 (812) 904-04-93
+7 (812) 904-04-93
г. Санкт-Петербург, ул.Ванеева, д.10, лит.Б, пом.№9,10, офис 315
Пн-Пт: 9:30-18:30 Cб-Вс: Выходной
Заказать звонок
Телефоны
+7 (812) 904-04-93
Главный офис АЛЬТКОМ в СПБ

Оптические датчики положения BTS ультратонкие со встроенным усилителем AUTONICS

ФИЛЬТР
Цена
5830
6670
Бренд
Ничего не найдено
Серия
Ничего не найдено
Степень защиты оболочки
Ничего не найдено
Напряжение питания, В
Ничего не найдено
Род тока
Ничего не найдено
Выход
Ничего не найдено
Найдено: Показать
Сортировка
По популярности
По рейтингу
По алфавиту
От А до Я
По алфавиту
От Я до А
Сначала дешевле
Сначала дороже
Вид отображения
Сортировать
Фильтр
Цена
5830
6670
Бренд
Серия
Степень защиты оболочки
Напряжение питания, В
Род тока
Выход
Сортировка
Наименование
Степень защиты оболочки
Напряжение питания, В
Выход
Цена за ед.
Датчик положения BTS15-LDTL-P
Датчик положения BTS15-LDTL-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS1M-TDTD
Датчик положения BTS1M-TDTD
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
NPN с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS1M-TDTD-P
Датчик положения BTS1M-TDTD-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS1M-TDTL
Датчик положения BTS1M-TDTL
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
NPN с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS1M-TDTL-P
Датчик положения BTS1M-TDTL-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS200-MDTD-P
Датчик положения BTS200-MDTD-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
5 830 руб.
5 830 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS200-MDTL
Датчик положения BTS200-MDTL
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
NPN с открытым коллектором
5 830 руб.
5 830 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS200-MDTL-P
Датчик положения BTS200-MDTL-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
5 830 руб.
5 830 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS30-LDTD
Датчик положения BTS30-LDTD
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
NPN с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS30-LDTD-P
Датчик положения BTS30-LDTD-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS30-LDTL
Датчик положения BTS30-LDTL
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
NPN с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
Датчик положения BTS30-LDTL-P
Датчик положения BTS30-LDTL-P
Степень защиты оболочки IP67
Напряжение питания, В 12…24
Выход
PNP с открытым коллектором
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить

Технические характеристики датчиков BTS:

Время срабатывания ≤1 мсек
Питание устройства 12…24 В постоянного тока, ±10% (пульсации двойной амплитуды ≤10%)
Ток потребления ≤20 мА (потребление каждого излучателя или приемника)
Источник света Светодиод красного света (650 нм)
Параметры выходного сигнала Напряжение нагрузки ≤26,4 В пост. тока; ток нагрузки ≤50 мА;
остаточное напряжение NPN ≤1 В, PNP ≤2 В
Виды защиты Защита от смены полярности выходного напряжения и короткого замыкания выхода
Индикация состояния датчика Срабатывание – красный; стабильная работа – зеленый
Сопротивление изоляции ≥20 Мом (при 500 В постоянного напряжения по мегомметру)
Устойчивость к помехам Шум прямоугольной формы ±240 В (длительность импульсов – 1 мксек)
Диэлектрическая прочность 1000 В перем. тока, 50/60 Гц в течение 1 минуты
Виброустойчивость Амплитуда 1,5 мм при частоте 10…55 Гц (в течение 1 мин.) по каждой из осей XYZ в течение 2 часов
Ударная нагрузка 500 м/сек2 (≈50 G) по каждой из осей XYZ 3 раза
Засветка от внешних источников Солнечный свет ≤10000 лк; лампы накаливания ≤3000 лк (засветка приемника)
Температура внешней среды -20°С…+55°С (при хранении -30°С…+70°С)
Влажность 35…85% относительная влажность, без замерзания и конденсации
Степень защиты IP67 (стандарт IEC)
Конструктивные материалы Корпус: полибутилентерефталат PBT; чувствительная часть: плексиглас (ПММА)
Кабель подключения Ø2,5 мм, 3 жилы, 2 м (AWG28, жила Ø0,08 мм, число проволок в жиле 19, наружный диаметр изолятора 0,9 мм
Комплектующие Кронштейн крепления и прокладка – SUS304, болт крепления – SWCH10A
Сертификаты Декларация соответствия СЕ, сертификат RoHS

Назначение ультратонких фотодатчиков серии BTS со встроенным усилителем

Ширина корпуса датчика BTS (минимальный размер в направлении, ортогональном к оптической оси излучателя) составляет 7,2 мм, что делает возможным применение этих датчиков в ограниченном рабочем пространстве при минимальном обслуживании.

Усилитель позволяет обнаруживать детали малых размеров (Ø≥0,15 мм).

Универсальные датчики BTS представлены в трех исполнениях по типу срабатывания: на пересечение луча, рефлекторное, диффузное отражения.

Принцип работы фотодатчиков BTS:

Режим срабатывания датчиков может выбираться как на засветку, так и на затемнение чувствительного элемента с любым из двух типов выходных сигналов по схеме с открытым коллектором: NPN или PNP.

Состояние датчика определяется по цветовым индикаторам: стабильная работа – зеленый СИД, срабатывание – красный СИД.

В оптической схеме T-типа установить излучатель и приемник позволяет видимый световой луч. Для уменьшения влияния внешней засветки для датчиков типа BTS1M могут использоваться щелевые маски типа BTS1M-ST, поставляемые отдельно.

Для реализации схемы R-типа могут использоваться рефлектор MS-6 или светоотражающая пленка MST нескольких типоразмеров, поставляемые отдельно.

В диффузных датчиках для повышения помехозащитных свойств используются конвергентная схема луча.

Области применения фотодатчиков BTS

Ультратонкие фотодатчики серии BTS предназначены для обнаружения небольших деталей и предметов в компактных системах массового производства.

Области применения:

  • сборочные производства – определение маркировки предметов или собственно малоразмерных и низкопрофильных предметов, подаваемых по ленточному транспортеру;
  • производство и упаковка продуктов питания;
  • определение полупроводниковых комплектующих и печатных проводников при производстве изделий электроники.

Возможные ограничения при применении серии BTS

Ограничения по монтажу, эксплуатации и обслуживанию:

  • использовать в помещениях с допустимой степенью загрязнения 3, высота над уровнем моря – не выше 2000 м, категория размещения - II;
  • запрещено использование в помещениях с содержанием горючих и взрывоопасных газов и помещениях с повышенной вибрацией, влажностью, прямым солнечным освещением и вблизи источников тепла;
  • при питании от импульсных источников или при высоком уровне электромагнитных помех подключать клемму заземления и конденсатор подавления помех;
  • использовать датчик не ранее, чем через 0,1 сек после включения напряжения питания;
  • запрещено для очистки изделия использовать воду и органические растворители;
  • при установке нескольких датчиков необходимо избегать попадания чувствительных элементов в поле засветки соседних датчиков или внешних источников света. При невозможности такого размещения следует использовать конструктивные элементы в виде масок и козырьков, ограничивающих засветку, встречно-параллельную установку или допустимый поворот оптических осей излучателей и приемников.