г. Санкт-Петербург, ул.Ванеева, д.10, лит.Б, пом.№9,10, офис 315
Войти
Поставки промышленного оборудования
+7 (812) 904-04-93
+7 (812) 904-04-93
г. Санкт-Петербург, ул.Ванеева, д.10, лит.Б, пом.№9,10, офис 315
Пн-Пт: 9:30-18:30 Cб-Вс: Выходной
Заказать звонок
Телефоны
+7 (812) 904-04-93
Главный офис АЛЬТКОМ в СПБ

Оптические датчики положения BTS ультратонкие со встроенным усилителем AUTONICS

ФИЛЬТР
Цена
5830
6670
Производитель
Ничего не найдено
Серия
Ничего не найдено
Особенности
Ничего не найдено
Класс защиты
Ничего не найдено
Напряжение питания, В
Ничего не найдено
Род тока
Ничего не найдено
Выход
Ничего не найдено
Найдено: Показать
Сортировка
По популярности
По рейтингу
По алфавиту
От А до Я
По алфавиту
От Я до А
Сначала дешевле
Сначала дороже
Вид отображения
Сортировать
Фильтр
Цена
5830
6670
Производитель
Серия
Особенности
Класс защиты
Напряжение питания, В
Род тока
Выход
Сортировка
Наименование
Особенности
Класс защиты
Напряжение питания, В
Род тока
Цена за ед.
BTS15-LDTL-P
BTS15-LDTL-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS1M-TDTD
BTS1M-TDTD
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS1M-TDTD-P
BTS1M-TDTD-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS1M-TDTL
BTS1M-TDTL
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS1M-TDTL-P
BTS1M-TDTL-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS200-MDTD-P
BTS200-MDTD-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
5 830 руб.
5 830 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS200-MDTL
BTS200-MDTL
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
5 830 руб.
5 830 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS200-MDTL-P
BTS200-MDTL-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
5 830 руб.
5 830 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS30-LDTD
BTS30-LDTD
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS30-LDTD-P
BTS30-LDTD-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS30-LDTL
BTS30-LDTL
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить
BTS30-LDTL-P
BTS30-LDTL-P
Особенности оптический
Класс защиты IP67
Напряжение питания, В
12…24
Род тока
DC
6 670 руб.
6 670 руб.
-0%
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
В корзину
Добавлено
Изменить

Технические характеристики датчиков BTS:

Время срабатывания ≤1 мсек
Питание устройства 12…24 В постоянного тока, ±10% (пульсации двойной амплитуды ≤10%)
Ток потребления ≤20 мА (потребление каждого излучателя или приемника)
Источник света Светодиод красного света (650 нм)
Параметры выходного сигнала Напряжение нагрузки ≤26,4 В пост. тока; ток нагрузки ≤50 мА;
остаточное напряжение NPN ≤1 В, PNP ≤2 В
Виды защиты Защита от смены полярности выходного напряжения и короткого замыкания выхода
Индикация состояния датчика Срабатывание – красный; стабильная работа – зеленый
Сопротивление изоляции ≥20 Мом (при 500 В постоянного напряжения по мегомметру)
Устойчивость к помехам Шум прямоугольной формы ±240 В (длительность импульсов – 1 мксек)
Диэлектрическая прочность 1000 В перем. тока, 50/60 Гц в течение 1 минуты
Виброустойчивость Амплитуда 1,5 мм при частоте 10…55 Гц (в течение 1 мин.) по каждой из осей XYZ в течение 2 часов
Ударная нагрузка 500 м/сек2 (≈50 G) по каждой из осей XYZ 3 раза
Засветка от внешних источников Солнечный свет ≤10000 лк; лампы накаливания ≤3000 лк (засветка приемника)
Температура внешней среды -20°С…+55°С (при хранении -30°С…+70°С)
Влажность 35…85% относительная влажность, без замерзания и конденсации
Степень защиты IP67 (стандарт IEC)
Конструктивные материалы Корпус: полибутилентерефталат PBT; чувствительная часть: плексиглас (ПММА)
Кабель подключения Ø2,5 мм, 3 жилы, 2 м (AWG28, жила Ø0,08 мм, число проволок в жиле 19, наружный диаметр изолятора 0,9 мм
Комплектующие Кронштейн крепления и прокладка – SUS304, болт крепления – SWCH10A
Сертификаты Декларация соответствия СЕ, сертификат RoHS

Назначение ультратонких фотодатчиков серии BTS со встроенным усилителем

Ширина корпуса датчика BTS (минимальный размер в направлении, ортогональном к оптической оси излучателя) составляет 7,2 мм, что делает возможным применение этих датчиков в ограниченном рабочем пространстве при минимальном обслуживании.

Усилитель позволяет обнаруживать детали малых размеров (Ø≥0,15 мм).

Универсальные датчики BTS представлены в трех исполнениях по типу срабатывания: на пересечение луча, рефлекторное, диффузное отражения.

Принцип работы фотодатчиков BTS:

Режим срабатывания датчиков может выбираться как на засветку, так и на затемнение чувствительного элемента с любым из двух типов выходных сигналов по схеме с открытым коллектором: NPN или PNP.

Состояние датчика определяется по цветовым индикаторам: стабильная работа – зеленый СИД, срабатывание – красный СИД.

В оптической схеме T-типа установить излучатель и приемник позволяет видимый световой луч. Для уменьшения влияния внешней засветки для датчиков типа BTS1M могут использоваться щелевые маски типа BTS1M-ST, поставляемые отдельно.

Для реализации схемы R-типа могут использоваться рефлектор MS-6 или светоотражающая пленка MST нескольких типоразмеров, поставляемые отдельно.

В диффузных датчиках для повышения помехозащитных свойств используются конвергентная схема луча.

Области применения фотодатчиков BTS

Ультратонкие фотодатчики серии BTS предназначены для обнаружения небольших деталей и предметов в компактных системах массового производства.

Области применения:

  • сборочные производства – определение маркировки предметов или собственно малоразмерных и низкопрофильных предметов, подаваемых по ленточному транспортеру;
  • производство и упаковка продуктов питания;
  • определение полупроводниковых комплектующих и печатных проводников при производстве изделий электроники.

Возможные ограничения при применении серии BTS

Ограничения по монтажу, эксплуатации и обслуживанию:

  • использовать в помещениях с допустимой степенью загрязнения 3, высота над уровнем моря – не выше 2000 м, категория размещения - II;
  • запрещено использование в помещениях с содержанием горючих и взрывоопасных газов и помещениях с повышенной вибрацией, влажностью, прямым солнечным освещением и вблизи источников тепла;
  • при питании от импульсных источников или при высоком уровне электромагнитных помех подключать клемму заземления и конденсатор подавления помех;
  • использовать датчик не ранее, чем через 0,1 сек после включения напряжения питания;
  • запрещено для очистки изделия использовать воду и органические растворители;
  • при установке нескольких датчиков необходимо избегать попадания чувствительных элементов в поле засветки соседних датчиков или внешних источников света. При невозможности такого размещения следует использовать конструктивные элементы в виде масок и козырьков, ограничивающих засветку, встречно-параллельную установку или допустимый поворот оптических осей излучателей и приемников.